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文檔簡介
1、信息時代的今天,磁記錄是主要的存儲手段。隨著計算機及網絡技術的發(fā)展,人們需要越來越高的數據存儲密度,垂直磁記錄介質是實現(xiàn)超高密度垂直磁存儲的重要一環(huán)。Co-W合金由于具有較高的磁晶各向異性能,有望成為下一代高密度磁記錄介質材料,因而得到廣泛的關注。
本文通過磁控濺射技術制備了系列不同成分與厚度的Co-W合金薄膜,并利用X-射線衍射技術和振動樣品磁強計(VSM)對薄膜的微觀結構、生長取向及磁性能進行了研究,探討了晶體結構與磁晶各
2、向異性能之間的關系,揭示了磁性層磁晶各向異性能的主要影響因素。獲得了如下主要研究結果:
(1)在具有hcp結構的Ru下底層上實現(xiàn)了hcp結構Co基薄膜的外延取向生長,MgO(111)//Ru(00·2)//Co-W(00·2)具有良好的取向附生關系。Omega掃描和Φ掃描結果表明Co-W薄膜成膜質量良好。
(2)隨著磁性層薄膜厚度的增加,Co(00·2)衍射峰強度逐漸增強,且衍射峰位向左稍有偏移。隨著W含量的增加,C
3、o(00·2)峰明顯向衍射角減小的方向移動。
(3)外延生長薄膜中產生的原子堆垛層錯主要為生長層錯,且生長層錯α密度均低于10%,堆垛層錯中沒有變形層錯存在。生長堆垛層錯密度和fcc/hcp體積百分數基本保持恒定,不隨Co-W磁性薄膜的成分和厚度而變化。
(4)隨著W含量的增加,飽和磁化強度Ms單調降低,由純Co的1400emu/cc降低到14%W時的500emu/cc。
(5) Co-W薄膜的晶格常數a和
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