三維垂直結(jié)構(gòu)阻變存儲(chǔ)器架構(gòu)和電路關(guān)鍵問(wèn)題研究.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著集成電路需要處理數(shù)據(jù)量的不斷增加，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)變得異常重要，對(duì)分立式高密度存儲(chǔ)器的市場(chǎng)需求也越來(lái)越大。目前較為成熟的分立式高密度存儲(chǔ)技術(shù)是NAND Flash(閃存)，但由于Flash有著微縮瓶頸，不能很好的隨工藝代發(fā)展而不斷微縮。因此急需一種新型高密度存儲(chǔ)器來(lái)滿足日趨強(qiáng)烈的高容量存儲(chǔ)需求。
　　RRAM（阻變存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)介質(zhì)一般是金屬氧化物，工藝制造簡(jiǎn)單，有著很好的隨工藝代不斷微縮的優(yōu)勢(shì)，已成為業(yè)內(nèi)專家們的研究熱點(diǎn)。為了與三維

2、NANDFlash在存儲(chǔ)密度上相競(jìng)爭(zhēng)，三維垂直結(jié)構(gòu)RRAM(3D Vertical RRAM)被提出，但3D Vertical RRAM仍存在許多待解決問(wèn)題:高密度架構(gòu)的確定，大IR Drop(電壓降)問(wèn)題，Disturbance問(wèn)題，大陣列過(guò)長(zhǎng)選通延時(shí)問(wèn)題，功耗問(wèn)題等。
　　本文針對(duì)其存在的這些問(wèn)題進(jìn)行了詳細(xì)分析，并提出了相應(yīng)解決方案。提出低IR Drop的3D Shunting Vertical RRAM架構(gòu)，采用并行操作方式

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