基于測(cè)試響應(yīng)填充技術(shù)的測(cè)試數(shù)據(jù)壓縮方法研究.pdf

1、近幾十年來，隨著超大規(guī)模集成(VLSI)電路技術(shù)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，半導(dǎo)體芯片上晶體管的密度成指數(shù)倍增加，數(shù)字集成電路(IC)測(cè)試已然成為半導(dǎo)體工業(yè)中最大的挑戰(zhàn)之一。測(cè)試數(shù)據(jù)量也隨之迅猛增長(zhǎng)，對(duì)自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)的存儲(chǔ)帶來了巨大的壓力，延長(zhǎng)了測(cè)試應(yīng)用時(shí)間，降低了測(cè)試質(zhì)量，增加了測(cè)試成本。如何有效地減少測(cè)試數(shù)據(jù)量已成為集成電路測(cè)試研究的一個(gè)重點(diǎn)問題，本文正是圍繞測(cè)試數(shù)據(jù)壓縮問題開展的研究。
　　為了進(jìn)一步提高測(cè)試質(zhì)量和測(cè)試壓縮率，本

2、文提出了一種基于響應(yīng)填充和觸發(fā)器極性取反的FDR壓縮方法。首先，采用響應(yīng)填充技術(shù)用上一個(gè)測(cè)試向量的響應(yīng)填充測(cè)試向量中無關(guān)位，增加填充的隨機(jī)性，保證較高測(cè)試質(zhì)量。其次，將測(cè)試向量與上一個(gè)測(cè)試向量的響應(yīng)差分處理以增加0的個(gè)數(shù)。然后，采用觸發(fā)器極性取反技術(shù)更改掃描觸發(fā)器的極性，進(jìn)一步增大差分向量集中0的比例，以提高FDR編碼的壓縮率。最后，用貪心算法對(duì)測(cè)試集重排序，并用禁忌搜索算法來確定每個(gè)掃描觸發(fā)器的極性，降低測(cè)試響應(yīng)與下一個(gè)測(cè)試向量之間不

3、同的位數(shù)，使得用FDR編碼的壓縮率最大。在硬件實(shí)現(xiàn)上，掃描單元極性取反可以通過其掃描輸入端直接連在它前面掃描單元的Q′端實(shí)現(xiàn)，沒有額外的硬件開銷。
　　將響應(yīng)填充方案應(yīng)用到 FDR壓縮編碼方法中，提高了測(cè)試壓縮率和測(cè)試質(zhì)量。本文嘗試將響應(yīng)填充方案應(yīng)用到改進(jìn)的FDR方法中，比如EFDR和AFDR，提出了基于響應(yīng)填充和游程編碼的高測(cè)試質(zhì)量壓縮方法。首先本文針對(duì)EFDR和AFDR編碼特點(diǎn)提出了不同的無關(guān)位響應(yīng)填充方案，將測(cè)試向量與上一測(cè)