LED驅(qū)動(dòng)芯片中集成自舉控制電路的設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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1、隨著大功率LED在燈光裝飾、照明和顯示器等領(lǐng)域中的普遍應(yīng)用，LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)也得到了快速的發(fā)展。為實(shí)現(xiàn)更高效的大功率LED照明，半橋驅(qū)動(dòng)電路逐漸成為大功率LED驅(qū)動(dòng)電路的熱點(diǎn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中自舉電路為半橋驅(qū)動(dòng)電路提供高側(cè)浮動(dòng)電源，而集成自舉電路由控制電路和N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物晶體管(Laterally Diffused Metal OxideSemiconductor, LDMOS)器件構(gòu)成，其相對(duì)于片外自舉電路具有明顯的優(yōu)勢(shì)，得到了越

2、來(lái)越廣泛的研究。
　　本文首先分析了傳統(tǒng)動(dòng)態(tài)背柵偏置的集成自舉控制電路的原理和性能，由于LED驅(qū)動(dòng)電路的啟動(dòng)頻率可達(dá)500kHz以上，在此頻率下，驅(qū)動(dòng)芯片的高側(cè)電路易發(fā)生欠壓鎖定現(xiàn)象。本文重點(diǎn)設(shè)計(jì)了柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸入波形，再次利用了死區(qū)時(shí)間，從而增加了給自舉電容每周期內(nèi)的充電時(shí)間，避免了上電啟動(dòng)階段高側(cè)電路出現(xiàn)欠壓鎖定現(xiàn)象;其次，本文還通過(guò)提高LDMOS的柵壓，降低了LDMOS的導(dǎo)通電阻，提升了充電電流和充電速度，最終提升了整體電

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