電化學(xué)聚合制備取向?qū)щ娋酆衔?pdf

1、對(duì)于共軛導(dǎo)電聚合物其導(dǎo)電方向主要為π-π堆積方向，因此在晶體中會(huì)表現(xiàn)出各方向電荷傳輸能力的不同，而常規(guī)導(dǎo)電聚合物中分子排列是無規(guī)的，所以會(huì)表現(xiàn)出各向同性。倘若能夠調(diào)控導(dǎo)電聚合物薄膜中分子排列的規(guī)整度，使分子鏈在π-π堆積方向上規(guī)整排列，必將會(huì)增加聚合物薄膜的電荷傳輸能力。本課題結(jié)合電化學(xué)聚合和取向附生結(jié)晶的方法在高度取向的聚合物薄膜上制備取向?qū)щ娋酆衔?，并?duì)取向?qū)щ娋酆衔锏慕Y(jié)構(gòu)和性質(zhì)做了表征，取得如下結(jié)果:
　　1、以高度取向的聚

2、偏氟乙烯(PVDF)修飾后的ITO玻璃為工作電極對(duì)3-甲基噻吩(3-Methylthiophene)進(jìn)行電化學(xué)聚合，通過循環(huán)伏安法獲得了高度取向的聚3-甲基噻吩(P3MT)薄膜。獲得的P3MT薄膜具有各向異性結(jié)構(gòu)和電導(dǎo)率。將P3MT薄膜去摻雜后，測(cè)定不同方向電導(dǎo)率發(fā)現(xiàn):在垂直PVDF拉伸方向?yàn)?9±3 S/cm，而平行與PVDF拉伸方向的電導(dǎo)率僅為1.2±0.4 S/cm。通過電子衍射和反射紅外吸收光譜（RAIRS）證明了P3MT的單晶