基于ETO的逆變器緩沖回路設(shè)計(jì)及損耗分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、發(fā)射極可關(guān)斷晶閘管(ETO)是一個(gè)低成本的、能夠滿足電能轉(zhuǎn)換要求的新型半導(dǎo)體器件。它是半導(dǎo)體設(shè)備的一個(gè)重要的跨越，基于GTO和MOSFET成熟的技術(shù)，ETO對于大功率應(yīng)用提供了一個(gè)較小的成本和先進(jìn)的解決方法。它具有MOSFET和GTO的優(yōu)點(diǎn):(1) GTO的高電壓和大電流;(2)高的開關(guān)速度可達(dá)到kHz;(3)大的關(guān)斷安全工作區(qū)。而且，ETO具有以下其他的比較有前景的特點(diǎn):(1)內(nèi)置設(shè)備電壓電流和溫度傳感器;(2)控制自發(fā)電能力;(3)

2、電流飽和能力。因此對該器件的研究具有重要的意義。
　　本文結(jié)合國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院項(xiàng)目“新型電力電子器件特性對比分析”，針對發(fā)射極可關(guān)斷器件ETO，分析闡述了ETO器件的工作原理和工作特性，重點(diǎn)研究了ETO器件的開關(guān)特性和損耗特性，根據(jù)ETO器件結(jié)構(gòu)和工作原理初步建立了模型，通過實(shí)驗(yàn)分析了基于ETO的逆變器緩沖回路參數(shù)包括緩沖電感、嵌位電容和緩沖電阻的變化對其開關(guān)特性的影響。分析了ETO在逆變器工作時(shí)的損耗以及損耗對結(jié)溫的影響，為后

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