貴金屬納米顆粒對(duì)單根ZnO納米帶光電性質(zhì)的影響.pdf

1、在眾多半導(dǎo)體中，氧化鋅(ZnO)因其獨(dú)特的理化性質(zhì)，成為數(shù)十年間研究的熱點(diǎn)。相較于純ZnO，金屬/ZnO復(fù)合納米材料可以表現(xiàn)出更好的導(dǎo)電性能、更高的發(fā)光效率和穩(wěn)定性。因此，制備和應(yīng)用金屬/ZnO復(fù)合納米材料成為近段時(shí)期的熱點(diǎn)之一。
　　本文利用化學(xué)氣相沉積法制備ZnO納米帶，通過掃描電子顯微鏡表征樣品形貌。利用微柵模板法制作了單根ZnO納米帶微電極器件，用Au、Pt納米顆粒對(duì)ZnO納米帶及其微電極器件進(jìn)行修飾。
　　分別在單

2、根ZnO納米帶、Au/ZnO和Pt/ZnO復(fù)合納米帶上的不同位置進(jìn)行光致發(fā)光原位測(cè)試實(shí)驗(yàn)，以此研究表面等離子體與缺陷態(tài)密度對(duì)ZnO納米帶近帶邊發(fā)射的增強(qiáng)的影響。結(jié)果表明，濺射Au、Pt納米顆粒使ZnO納米帶近帶邊發(fā)射得到極大的增強(qiáng)，缺陷發(fā)射幾乎淬滅。證實(shí)不同的納米帶以及同一納米帶上不同點(diǎn)的缺陷態(tài)密度不同，缺陷態(tài)密度越大，其近帶邊發(fā)射的增強(qiáng)率就越大。其中Pt納米顆粒對(duì)單根ZnO納米帶光致發(fā)光性質(zhì)的影響還未見報(bào)道。光致發(fā)光的原位測(cè)試方法適用