片上寬負載電容范圍的LDO設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著手機等移動終端的快速增長，帶來芯片領域數字電路規(guī)模的相應增長。LDO電路以其靜態(tài)電流小、噪聲低、響應速度快、占用PCB面積小等優(yōu)點受到芯片集成領域的青睞。然而，隨著負載門數的提高，LDO輸出端負載電容的量級也在nF以上，這對無電容型結構的穩(wěn)定性設計來說將面臨極大挑戰(zhàn)。
　　本設計基于傳統(tǒng)的LDO結構，著重研究了FVF型結構LDO的優(yōu)缺點，然后通過分析了前人設計的三級運放的頻率補償方案，提出了一種適用于寬范圍負載電容的FVF型L

2、DODSMFC頻率補償方案，通過設置一個零點來補償次主極點產生的相位裕度降低問題，同時分六種負載情況分別分析相應條件下的零極點位置和穩(wěn)定性問題。
　　本設計還針對瞬態(tài)響應特性以及電源抑制比特性分別進行了研究。通過詳細分析了運放和功率管寄生效應對LDO電源抑制特性的影響，設計了一種復用SR&PSR增強電路；同時為了提高LDO電路的精度，減少帶隙基準電壓的偏移，設計了一種具有高PSR特性的帶隙基準電路。
　　基于SMIC0.13

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