基于近零閾值MOSFET設計關鍵電路.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、超低電壓微納電子學是當代學術界和工業(yè)界迎合綠色設計的關注熱點。設計等效為毫伏數量級的閾值電壓MOSFET，主流方法是大寬長比和體源偏置，改良的方法是前兩法的融合。
　　本研究主要內容包括：⑴綜論實現超低電壓模擬電路的硅極限供電壓與基本設計理念；⑵從單管出發(fā)，建構推導大寬長比條件下的nA級漏電流，并改良設計極少管子構造的關鍵模擬電路。旨在重點分析李文石教授發(fā)明的3MOSFET施密特非門，主要工作內容：一是構建大寬長比的單管 I-V特

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