高壓互連結構研究與設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、高壓互連(HVI)是功率集成電路(PIC)中的重要技術，隨著PIC在結構功能上的發(fā)展和應用范圍上的增大，人們對功率集成電路中的高壓互連技術的要求也與日俱增。本文圍繞高壓互連技術進行研究，重點研究高壓互連技術和Divided RESURF結構。主要研究內(nèi)容如下：
　　1、通過建立模型研究了高壓互連線對器件的影響，并總結了包括厚絕緣層技術、降場層技術、場板技術。厚絕緣層技術增加了HVI與硅表面之間的距離；降場層技術引入了額外的經(jīng)過優(yōu)化

2、的摻雜區(qū)域來輔助HVI下方的漂移區(qū)的耗盡。場板技術通過多種多樣的場板結構來屏蔽HVI的影響。自屏蔽技術讓HVI避免跨過高壓結終端，從而不再需要額外的隔離結構。
　　2、通過仿真探究互連線對RESURF器件的影響因素，并根據(jù)仿真結果設計了包括：一種窄線寬的高壓互連結構、一種部分場板屏蔽的高壓互連結構、一種多片式高壓互連結構等新型高壓互連結構。
　　3、使用Divided RESURF技術設計一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應

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