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文檔簡(jiǎn)介
1、電力和移動(dòng)通信給人類生活帶來(lái)了翻天覆地的變化,然而,由它們產(chǎn)生的電磁場(chǎng)(EMFs)也相應(yīng)地成為環(huán)境中增長(zhǎng)最快的污染因素之一,其對(duì)人類健康的影響越來(lái)越受到人們的重視和關(guān)注。部分流行病學(xué)研究表明,電磁場(chǎng)可能與腫瘤發(fā)生相關(guān),國(guó)際癌癥研究署(IARC)據(jù)此將工頻電磁場(chǎng)和射頻電磁場(chǎng)列為人類可疑致癌物。但是,由于缺乏實(shí)驗(yàn)室研究證據(jù)的支持,電磁場(chǎng)與腫瘤的關(guān)系并沒(méi)有確立。
DNA損傷是腫瘤發(fā)生的關(guān)鍵事件,因此,電磁場(chǎng)的遺傳毒性是判斷其是否具有
2、致癌性的金標(biāo)準(zhǔn)。遺憾的是,這方面的研究結(jié)果缺乏一致性,其主要原因一方面是因?yàn)殡姶艌?chǎng)的效應(yīng)比較微弱,另一方面是不同的研究采用了不同的生物學(xué)系統(tǒng)、電磁場(chǎng)暴露參數(shù)、檢測(cè)方法等。為了解決這一問(wèn)題,我們實(shí)驗(yàn)室曾在相同的實(shí)驗(yàn)條件下研究了電磁場(chǎng)對(duì)不同種類細(xì)胞DNA損傷的影響,發(fā)現(xiàn)效應(yīng)存在差異;進(jìn)一步的研究顯示,射頻電磁場(chǎng)雖然能夠?qū)е虏糠旨?xì)胞DNA雙鏈斷裂早期標(biāo)志物γH2AX焦點(diǎn)形成增加,但并未產(chǎn)生顯著的DNA片段化,不僅說(shuō)明其對(duì)細(xì)胞DNA的影響具有細(xì)
3、胞種類依賴性,而且提示由它引發(fā)的DNA損傷能夠被快速修復(fù)。由于不同種類細(xì)胞具有不同的遺傳背景,認(rèn)為遺傳背景的不同可能是電磁場(chǎng)遺傳毒性效應(yīng)差異性的原因之一;同時(shí),由于正常細(xì)胞能夠快速修復(fù)電磁場(chǎng)引發(fā)的DNA損傷,推測(cè)DNA損傷修復(fù)缺陷的細(xì)胞可能會(huì)對(duì)電磁場(chǎng)更加敏感。本學(xué)位論文針對(duì)這兩個(gè)問(wèn)題,通過(guò)檢測(cè)DNA單、雙鏈斷裂損傷的彗星實(shí)驗(yàn)和檢測(cè)早期DNA雙鏈斷裂損傷的γH2AX焦點(diǎn)形成實(shí)驗(yàn)研究了50 Hz工頻(ELF)和1800 MHz射頻(RF)電
4、磁場(chǎng)對(duì)來(lái)源于同種組織的、但遺傳背景不同的同類細(xì)胞,以及對(duì)野生型和遺傳缺陷型細(xì)胞DNA損傷的影響,并進(jìn)一步分析了其后續(xù)對(duì)細(xì)胞周期和活力的影響。
150Hz或1800 MHz電磁場(chǎng)對(duì)人胎盤絨癌細(xì)胞JAR和JEG-3基因組穩(wěn)定性的影響。JAR和JEG-3都是源自人胎盤滋養(yǎng)層的細(xì)胞株,但來(lái)源于不同的個(gè)體,其遺傳背景不同。
1.工頻電磁場(chǎng)效應(yīng)研究
堿性彗星實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,與假暴露組相比,JAR細(xì)胞內(nèi)DNA片段化水平經(jīng)2
5、.0 mT50 Hz工頻電磁場(chǎng)暴露1或12小時(shí)后沒(méi)有顯著變化(暴露組Olive尾矩/假暴露組Olive尾矩平均值:1小時(shí)組,0.91±0.18,P>0.05;12小時(shí)組,0.92±0.25,P>0.05)(下同),經(jīng)暴露24或36小時(shí)后顯著升高(24小時(shí)組:1.34±0.14,P<0.05;36小時(shí)組:1.67±0.40,P<0.05);在同樣的條件下,與假暴露組相比,JEG-3細(xì)胞內(nèi)DNA片段化水平經(jīng)工頻電磁場(chǎng)暴露1小時(shí)后顯著降低(0
6、.48±0.08,P<0.05),但經(jīng)暴露12、24或36小時(shí)后均沒(méi)有顯著變化(依次為1.14±0.23、1.24±0.14和1.36±0.19, P>0.05)。
γH2AX焦點(diǎn)形成實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,與假暴露組相比,JAR細(xì)胞內(nèi)γH2AX焦點(diǎn)形成經(jīng)2.0 mT50 Hz工頻電磁場(chǎng)暴露1或24小時(shí)后均沒(méi)有顯著變化(平均焦點(diǎn)數(shù):1小時(shí)組,假暴露組6.85±0.40與暴露組6.82±0.64,P>0.05;24小時(shí)組,假暴露組7.42
7、±0.50與暴露組7.24±0.57,P>0.05)(下同);在相同的條件下,與假暴露組相比,JEG-3細(xì)胞內(nèi)γH2AX焦點(diǎn)形成經(jīng)工頻電磁場(chǎng)暴露1或24小時(shí)后也均沒(méi)有顯著變化(1小時(shí)組:5.63±0.43與5.51±0.54,P>0.05;24小時(shí)組:6.75±0.16與7.34±0.41,P>0.05)。
2.射頻電磁場(chǎng)效應(yīng)研究
堿性彗星實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,與假暴露組相比,JAR細(xì)胞內(nèi)DNA片段化水平經(jīng)4.0 W/kg1
8、800 MHz射頻電磁場(chǎng)暴露1小時(shí)后顯著降低(暴露組Olive尾矩/假暴露組Olive尾矩平均值:0.70±0.07,P<0.05)(下同),經(jīng)暴露24小時(shí)后卻沒(méi)有顯著變化;在相同的條件下,與假暴露組相比,JEG-3細(xì)胞內(nèi)DNA片段化水平經(jīng)射頻電磁場(chǎng)暴露1小時(shí)后沒(méi)有顯著變化,但經(jīng)暴露24小時(shí)后則顯著升高。
γH2AX焦點(diǎn)形成實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,JAR細(xì)胞內(nèi)γH2AX焦點(diǎn)形成經(jīng)射頻電磁場(chǎng)暴露1小時(shí)后沒(méi)有顯著變化(平均焦點(diǎn)數(shù):假暴露組7
9、.45±0.31與暴露組7.74±1.27,P>0.05)(下同),但經(jīng)暴露24小時(shí)后顯著下降;在相同的條件下,與假暴露組相比,JEG-3細(xì)胞內(nèi)γH2AX焦點(diǎn)形成經(jīng)射頻電磁場(chǎng)暴露1小時(shí)后沒(méi)有顯著變化,但經(jīng)暴露24小時(shí)后顯著增加。
基于以上的結(jié)果,進(jìn)一步觀察了電磁場(chǎng)對(duì)細(xì)胞DNA損傷是否會(huì)改變細(xì)胞的周期與活力。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,與假暴露組相比,JAR經(jīng)工頻電磁場(chǎng)暴露24小時(shí)后,處于G2/M期的細(xì)胞比例顯著升高,再培養(yǎng)24小時(shí)后,細(xì)胞活
10、力顯著下降;在相同的條件下,與假暴露組相比,JEG-3經(jīng)工頻電磁場(chǎng)暴露24小時(shí)后,細(xì)胞周期分布沒(méi)有顯著變化,活力也未發(fā)生顯著改變。
本部分研究結(jié)果表明,在我們的實(shí)驗(yàn)條件下,工頻電磁場(chǎng)能導(dǎo)致JAR細(xì)胞發(fā)生DNA單鏈斷裂損傷,并導(dǎo)致G2/M阻滯和細(xì)胞活力下降,但對(duì)JEG-3細(xì)胞沒(méi)有顯著影響;射頻電磁場(chǎng)能減少JAR細(xì)胞內(nèi)本底DNA單、雙鏈斷裂損傷水平,卻導(dǎo)致JEG-3細(xì)胞DNA單、雙鏈斷裂損傷增加。250 Hz或1800 MHz電磁
11、場(chǎng)暴露對(duì)野生型和毛細(xì)血管擴(kuò)張共濟(jì)失調(diào)突變基因(Atm)缺陷型小鼠胚胎成纖維細(xì)胞基因組穩(wěn)定性的影響。
ATM激酶是磷脂酰肌醇激酶相關(guān)激酶(PI3KK)超家族中一員,在細(xì)胞DNA損傷修復(fù)過(guò)程中起著非常重要的作用。一般認(rèn)為,ATM缺失將導(dǎo)致細(xì)胞內(nèi)DNA易形成內(nèi)源性或外源性損傷,是研究弱環(huán)境因素遺傳毒性的良好模型。在本部分實(shí)驗(yàn)中,采用野生型(Atm+/+)和Atm缺陷型(Atm-/-)小鼠胚胎成纖維細(xì)胞(MEF)為模型,探索電磁場(chǎng)對(duì)細(xì)
12、胞DNA的影響。
結(jié)論:
根據(jù)以上研究結(jié)果得出如下結(jié)論:
1)工頻電磁場(chǎng)或射頻電磁場(chǎng)對(duì)不同遺傳背景的人胎盤絨癌細(xì)胞以及野生型和DNA損傷修復(fù)缺陷性MEF的遺傳毒性存在差異。結(jié)合實(shí)驗(yàn)室的系列研究結(jié)果,我們得出“同一頻率電磁場(chǎng)對(duì)不同種類細(xì)胞的效應(yīng)可以不一樣,同種細(xì)胞對(duì)不同種類電磁場(chǎng)的響應(yīng)也可以是不一樣”的結(jié)論;
2) JAR不僅響應(yīng)工頻電磁場(chǎng)的刺激,而且出現(xiàn)明確的損傷效應(yīng),即導(dǎo)致該細(xì)胞G2/M阻滯和細(xì)
13、胞活力下降,可能是研究工頻電磁場(chǎng)效應(yīng)機(jī)制的良好模型。
3)射頻電磁場(chǎng)能夠?qū)е翧tm-/-MEF發(fā)生DNA雙鏈斷裂損傷,而對(duì)Atm+/+ MEF卻沒(méi)有該效應(yīng),說(shuō)明DNA修復(fù)缺陷的細(xì)胞對(duì)射頻電磁場(chǎng)較野生型更加敏感;
4)射頻電磁場(chǎng)對(duì)Atm+/+和Atm-/-MEF DNA損傷均呈現(xiàn)出先增加后減少的效應(yīng),一方面提示射頻電磁場(chǎng)導(dǎo)致的DNA損傷能夠被修復(fù),另一方面提示射頻電磁場(chǎng)可能具有毒物興奮樣效應(yīng)。
本學(xué)位論文主要
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