基于GaN HEMT的MHz級(jí)Boost PFC設(shè)計(jì).pdf

1、隨著生活水平的不斷提高，人們對(duì)于各種電子設(shè)備的依賴性越來(lái)越大。在電力電子設(shè)備中，開(kāi)關(guān)電源有著舉足輕重的作用，但其帶來(lái)的諧波污染不僅影響著設(shè)備自身的運(yùn)行，對(duì)于電網(wǎng)安全也是一種危害，因此幾乎所有的AC/DC變換器都需要有功率因數(shù)校正的能力，以滿足相關(guān)的諧波標(biāo)準(zhǔn)。
　　同時(shí)，設(shè)備的電源體積和重量往往相對(duì)較大，如個(gè)人電腦等，這主要是設(shè)備中的無(wú)源器件如電容、電感等導(dǎo)致的，因此提高電源功率密度，減低電源體積成為電力電子發(fā)展的方向之一。對(duì)于開(kāi)關(guān)

2、電源來(lái)說(shuō)，減小無(wú)源器件體積最直接的方式就是提高開(kāi)關(guān)頻率。因此針對(duì)應(yīng)用最為廣泛的功率因數(shù)校正電路的高頻化研究正成為電力電子學(xué)科的研究熱點(diǎn)。
　　然而，開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用最為普遍的硅基半導(dǎo)體器件，由于其自身材料屬性的限制，很難適應(yīng)高頻（MHz級(jí)）環(huán)境。而以氮化鎵(GaN)器件為代表的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件具有高耐壓、高工作溫度及更快的開(kāi)關(guān)速度等特性，可以實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本及更高的功率密度，在部分高頻中小功率電源領(lǐng)域大有替代原有硅材料功率器件