CVD石墨烯的生長及拉曼光譜研究.pdf

1、化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)制備的石墨烯具有質量高、尺寸大、層數可控等優(yōu)點，已成為石墨烯薄膜大規(guī)模生長的主要方法。石墨烯優(yōu)異的電學性能、光學性能也使得其在光電領域有著廣泛的應用前景。優(yōu)化石墨烯的生長條件，降低銅箔表面石墨烯的形核密度是提高石墨烯質量的有效途徑。在生長石墨烯的過程中，樣品經常會出現雙層或多層區(qū)域，而這些多層區(qū)域中石墨烯的層間堆垛方式，也就是層間扭轉角度不盡相同。扭轉角度的差異

2、則會對石墨烯的電學、光學性質造成重要的影響。本論文首先探究了雙氧水處理（包括溶液濃度及處理時間）對銅箔表面石墨烯形核密度的影響，并從銅箔表面含氧量和粗糙度這兩個角度分析其影響機制。實驗中發(fā)現雙氧水溶液處理銅箔可以有效降低石墨烯的形核密度。另外，我們研究了雙層石墨烯的層間扭轉角度對其拉曼信號的影響，實現了雙層石墨烯層間扭轉角度及其分布的快速識別。通過理論計算，我們還證明了雙層大角度石墨烯拉曼光譜中的D-like峰并不是由石墨烯中缺陷所導致